La tecnología SSD sigue sorprendiendo. Lejos quedan ya años como 2008, cuando ofrecían un rendimiento nunca visto en discos duros tradicionales, pero con un precio tan alto y un almacenamiento tan limitado que más que una realidad, eran un sueño constante para el gran público. Ahora, aunque los precios siguen siendo más altos, las capacidades se han alineado, y los retos van en otro sentido.
Es el caso de los nuevos Z-SSD que acaba de anunciar Samsung. Tecnológicamente, estas nuevas unidades de almacenamiento guardan mucha similitud con las soluciones V-NAND que hasta ahora empleaba la compañía surcoreana en su gama alta, pero un nuevo diseño del circuito interno y del controlador elevan mucho el rendimiento, con hasta 4 veces menor latencia y 1.6 veces mejor lectura secuencial que el mejor SSD de Samsung hasta la fecha.
Según Samsung, la tecnología Z-SSD cierra gran parte del hueco que los SSD tienen en rendimiento con la memoria DRAM. Como cabía esperar, el consumo también se ha reducido respecto a la gama alta anterior de discos, algo relevante donde será utilizada, en data centers.
Y es que, de acuerdo a los datos ofrecidos por la compañía, la clave de los Z-SSD será estar listos para la banda ancha que requiere el nivel de procesamiento de millones de datos en inteligencia artificial, aprendizaje de máquinas y en análisis, todos ellos tendencias desde ya hasta los próximos años.
Samsung ha mostrado importantes novedades en el resto de la gama. La memoria presentada este año, enfocada a portátiles, convertibles y tablets, que ocupaba 100 veces menos que los SSDs tradicionales y que pesa un gramo aproximadamente, llega ahora hasta 1 TB. La gama de más capacidad, que hasta ahora llegaba a 16 TB, se expande hasta 32 TB.
La última gran novedad es la introducción de la cuarta generación de memoria 3D NAND, que frente a las 48 capas de la generación anterior, ahora ofrece 64. Esto permite contar con una densidad de 1 TB por paquete. Eso sí, no estará disponible hasta 2017.
Fuente: hipertextual.com
